중국 최대 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 첨단 EUV 노광장비 없이 3차원 패키징과 후공정 우회 기술을 활용해 HBM3E 제품 테스트에 들어간 것으로 알려졌습니다.
미국의 대중 반도체 장비 수출 규제로 최첨단 노광장비 조달이 막히자 중국 업체들은 공정 설계를 바꿔 격차를 좁히는 전략을 펴고 있습니다.
미국 제재로 중국 내 HBM 조달 병목이 커지면서 중국 AI 가속기 가격이 오르는 부작용도 나타나고 있습니다.
전문가들은 삼성전자와 SK하이닉스의 공급 협상력과 가격 주도권이 당분간 유지되겠지만 중국의 우회 추격 속도를 결코 방심할 수 없다고 지적합니다.
자주 묻는 질문
Q. CXMT가 EUV 없이 HBM을 만들 수 있는 이유는 무엇인가요?
A. 3차원 패키징 등 후공정 기술로 회로 집적 방식을 우회해 성능을 확보하는 방식을 택했기 때문입니다.
Q. 한국 메모리 업체의 우위는 계속되나요?
A. 당분간 공급 협상력과 가격 주도권은 유지될 전망이지만 중국의 추격 속도에 대비가 필요합니다.
Q. 미국 제재는 어떤 영향을 주고 있나요?
A. 중국 내 HBM 조달 병목을 키워 중국 AI 가속기 가격 상승을 유발하고 있습니다.
출처: 더일렉