삼성전자, FMS 2026서 AI 메모리 혁신 로드맵 전면 공개
삼성전자가 미국 캘리포니아 산타클라라에서 열린 ‘Future of Memory and Storage(FMS) 2026’에서 차세대 3D 메모리 아키텍처 비전을 공개했다. 이번 행사에서 삼성은 약 30개의 메모리 및 스토리지 기술을 전시하며 AI 인프라 시대를 선도하겠다는 의지를 밝혔다.
zHBM: AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 적재하다
삼성이 공개한 ‘zHBM’은 기존 HBM을 AI 가속기 옆이 아닌 바로 위에 수직으로 적재하는 혁신적 아키텍처다. 데이터가 이동하는 거리를 최소화해 대역폭은 높이고 전력 소모는 줄이는 설계다.
zHBM을 적용한 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 약 8배의 성능을 목표로 한다. 웨이퍼 본딩 기술을 활용하면 HBM5 대비 10배 이상의 메모리 밀도, 3배의 에너지 효율, 열 저항을 절반 이하로 줄일 수 있다. 고객 맞춤형 IP 통합도 지원한다.
zNAND-O: 엣지 AI 시대의 고성능 스토리지
V-NAND 기술 기반의 ‘zNAND-O’는 4층 및 8층 버전으로 개발 중이다. 높은 공간 효율과 향상된 I/O 성능, 낮은 지연시간을 결합해 실시간 데이터 집약 AI 애플리케이션을 위한 엣지 AI 환경에 최적화되었다.
V10 BV-NAND: 400층 시대 개막…업계 최초 웨이퍼 본딩 적용
삼성은 400층 이상의 V10 BV-NAND를 공개하며 또 한 번의 이정표를 세웠다. 2013년 업계 최초로 V-NAND를 선보인 지 13년 만이다.
V10 BV-NAND는 새로운 ‘본딩 V-NAND(Bonding V-NAND)’ 아키텍처를 적용해 웨이퍼 본딩 기술로 메모리 셀을 적츠amsung한다. 이를 통해 전 세대(V9) 대비 약 58% 높은 메모리 밀도를 달성했으며, 읽기·쓰기·I/O 성능도全面提升했다.
HBM4E 샘플 출하 완료…풀 라인업 갖춘 AI 메모리 로드맵
삼성은 올해 2월 업계 최초로 HBM4 양산에 돌입한 데 이어, 5월에는 HBM4E 샘플을 글로벌 고객사에 최초 출하했다. 이번 FMS 2026에서는 HBM4E와 HBM5 모델, 메모리 자체에서 데이터 처리를 수행하는 LPDDR5X-PIM도 함께 전시했다.
엔터프라이즈 스토리지 분야에서는 AI 데이터센터 요구를 충족하는 PM1763과 BM1773 솔루션을 선보였다.
분석: 메모리·파운드리·패키징 턴키 서비스로 경쟁력 강화
삼성은 세계 유일의 통합 디바이스 제조사(IDM)로서 메모리·파운드리·첨단 패키징을 아우르는 원스톱 턴키 솔루션을 제공한다. 설계부터 양산까지 통합 개발·제조 서비스를 통해 개발 주기를 단축하면서 성능과 전력 효율을 최적화할 수 있다.
AI 인프라 수요가 폭발적으로 증가하는 상황에서 삼성의 3D 메모리 혁신은 AI 반도체 시장의 지형을 바꿀 잠재력이 있다. 특히 zHBM은 데이터 병목 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 패러다임 전환으로 평가된다.
자주 묻는 질문(FAQ)
Q. zHBM은 기존 HBM과 무엇이 다른가요?
A. 기존 HBM은 AI 가속기 옆에 배치되지만, zHBM은 AI 가속기 바로 위에 수직으로 적재합니다. 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭은 크게 높이고 전력 소모는 줄입니다.
Q. V10 BV-NAND의 가장 큰 특징은?
A. 400층 이상의 적층과 업계 최초 웨이퍼 본딩 기술 적용입니다. 이를 통해 전 세대 대비 메모리 밀도가 약 58% 향상되었습니다.
Q. HBM4E는 언제 양산되나요?
A. 삼성은 2026년 5월 글로벌 고객사에 HBM4E 샘플을 출시했습니다. 본격 양산 시점은 고객사 검증 결과에 따라 결정될 예정입니다.
Q. zNAND-O는 어떤 환경에 적합한가요?
A. 실시간 데이터 처리가 필요한 엣지 AI 환경에 최적화되어 있습니다. 낮은 지연시간과 높은 I/O 성능이 특징입니다.
Q. 삼성의 턴키 솔루션은 무엇인가요?
A. 메모리·파운드리·첨단 패키징을 모두 자체 보유한 세계 유일의 IDM으로, 고객에게 설계부터 양산까지 원스톱 통합 서비스를 제공합니다.
출처: Samsung Newsroom | 작성: newsite.kr